Mehrschichtige Wiederverwendungsmustertechnologie bedeutet, die gesamten Frequenzressourcen nach bestimmten Prinzipien in verschiedene Untergruppen aufzuteilen. Jede Untergruppe weist jeder Zelle mithilfe unterschiedlicher Wiederverwendungsmodelle Frequenzträger zu, sodass die Wiederverwendungsdichte jedes Frequenzträgers sowie die Interferenz in jeder Zelle unterschiedlich sind.
Der Frequenzträger mit höherer Wiederverwendungsdichte erhält weniger durchschnittliche Störungen, während der Frequenzträger mit niedrigerer Wiederverwendungsdichte mehr durchschnittliche Störungen erhält.
Zum Beispiel: Der BCCH-Frequenzträger verwendet den 4*3-Wiederverwendungsmodus, der TCH-Frequenzträger verwendet den 3*3- und 2*3-Modus. Die Struktur des mehrschichtigen Wiederverwendungsmusters ist in der obigen Abbildung dargestellt.
Eine Farbe repräsentiert dieselbe Frequenzgruppe in der Abbildung, und die Frequenzen werden wiederverwendet. L1, L2…Lm repräsentieren Frequenzschichten in der Zelle. Wie in der Abbildung zu sehen ist, nähert sich die Wiederverwendungsdichte auf höheren Ebenen an. Wenn die Frequenzzahl festgelegt ist, gewinnt das Mehrschicht-Wiederverwendungsmuster mehr Kanäle pro Flächeneinheit im Vergleich zur gleichen Wiederverwendungsdichte auf jeder Schicht.
BCCH: n1
TCH1: n2
TCH2: n3
TCHm-1: nm
n1 ≥n2≥n3 ≥n4 ≥…… ≥ nm
Und n1+n2+…+nm=n
Die Mehrschicht-Wiederverwendungstechnologie erfordert Geräte, die Basisband-Frequenzsprung oder Radiofrequenzsprung unterstützen. Es basiert auf der Idee der Trägerschichtung (tatsächlich ist das Einzelfrequenz-Wiederverwendungsmodell eine Ausnahme vom Mehrschicht-Wiederverwendungsmuster und kann als geschichtete Wiederverwendung mit denselben Trägern auf jeder Schicht betrachtet werden).
Das heißt, alle verfügbaren Frequenzträger werden in mehrere Gruppen unterteilt, wobei jede Gruppe als Trägerschicht (Frequenzuntergruppe) dient. Angenommen, die gesamte Frequenzressource besteht aus n Frequenzträgern, die in m Gruppen unterteilt sind. Die jeder Gruppe zugewiesene Trägerressource ist oben dargestellt.