PCB tasarımı için Mikroşerit Empedans dönüşüm hesaplayıcısı

Mikroşerit Empedans Hesaplayıcı Formülü

W/H ≤ 1 için Z₀ = (60 / √ε_eff) × ln(8H / W_eff + 0,25 × W_eff / H)

W/H ≥ 1 için Z₀ = (120π) / [√ε_eff × (W_eff/H + 1,393 + 0,667 × ln(W_eff/H + 1,444))]

Etkin geçirgenliğin şu şekilde verildiği yer:

ε_eff = (ε_r + 1)/2 + (ε_r – 1)/2 × [1/√(1 + 12H/W_eff) + 0,04(1 – W_eff/H)²]

Formül Açıklaması

Mikroşerit Empedans Hesaplayıcı, geometrisine ve kullanılan dielektrik malzemeye bağlı olarak bir PCB izinin karakteristik empedansını (Z₀) belirler. Formül, etkili geçirgenlik (ε_eff) için Hammerstad modelini kullanır ve doğru genişlik hesaplaması (W_eff) için kalınlık düzeltmesi uygular. Empedans malzemenin genişliğine (W), dielektrik yüksekliğine (H), iz kalınlığına (t) ve dielektrik sabitine (ε_r) bağlıdır. Ayrıca dielektrik sabiti ve ışık hızını kullanarak yayılma gecikmesini de tahmin eder.

Mikroşerit Empedans Hesaplayıcının Kullanım Alanları

Mikroşerit Empedans dönüşüm hesaplayıcısı aşağıdaki uygulamalarda yaygın olarak kullanılır:

  • Yüksek frekanslı baskılı devre kartlarının (PCB’ler) tasarlanması.
  • RF ve mikrodalga iletim hatları için empedansın eşleştirilmesi.
  • Yüksek hızlı devrelerde sinyal bütünlüğü için iz geometrisinin optimize edilmesi.
  • Mikroşerit iletim teorisinin incelenmesinde eğitim ve araştırma kullanımı.
  • PCB üretiminden önce tasarım parametrelerinin doğrulanması.

Formül Örneği

Mikroşerit Empedans Hesaplayıcıyı kullanarak örnek hesaplama:

W = 2 mm, H = 1 mm, t = 0,035 mm ve ε_r = 4,4 olsun.

O zaman W/H = 2 olur, bu da ikinci denklemi kullandığımız anlamına gelir:

Z₀ = (120π) / [√ε_eff × (2 + 1,393 + 0,667 × ln(2 + 1,444))]

ε_eff ≈ 3,33 hesaplandıktan sonra empedans yaklaşık olarak Z₀ ≈ 52,8 Ω olur.

Bu sonuç, mikroşerit hattının çoğu RF tasarımı için ideal olan 50 Ω’a yakın bir karakteristik empedansa sahip olacağını göstermektedir.