Technologia ponownego wykorzystania izolowanego odnosi się do ponownego użycia 1*3 lub 1*1 przy krótkiej odległości ponownego użycia i poważnych zakłóceniach. Należy zastosować technologię przeskakiwania częstotliwości radiowych. Suma częstotliwości przeskakiwania musi być znacznie większa niż liczba TRX (ponad dwukrotnie). Aby uniknąć konfliktu częstotliwości, używane są parametry MA, HSN i MAIO.
Wyjaśnijmy na przykładzie technologię izolowanego ponownego użycia. Jak pokazano na rysunku, zakładając, że istnieje 50 nośnych o szerokości pasma 10 MHz, 14 z nich jest zajętych przez BCCH, a 36 z nich jest wykorzystywanych przez TCH.
Planowanie w trybie ponownego wykorzystania 4*3, do każdej komórki przydzielone są 3 nośne częstotliwości, tryb lokalizacji to S4/4/4. Przy izolowanym ponownym użyciu 1*3 każdej komórce przydzielanych jest 12 nośnych częstotliwości. Rzeczywista liczba nośnych dostępnych dla komórki zależy od izolowanego współczynnika ponownego wykorzystania (RF-LOAD: TRX przeskoku częstotliwości/całkowita liczba nośnych przydzielonych w wyniku przeskakiwania częstotliwości). Mówiąc konkretnie, obciążenie RF-LOAD może obecnie wynosić teoretycznie do 50%:
TRX=12*50%=6
6 TRX będzie wykorzystywać przeskakiwanie częstotliwości radiowych i może być realizowane wyłącznie za pomocą technologii przeskakiwania częstotliwości radiowych, co oznacza, że wszystkie te 6 TRX działają na 12 nośnych częstotliwości. Ustawiając odpowiednie parametry, upewnij się, że nie będą powodować konfliktu międzykanałowego z powodu jednoczesnej pracy na tej samej częstotliwości. Gdy RF-LOAD wynosi 50%, największym trybem lokalizacji jest S7/7/7 w przypadku korzystania z technologii ponownego wykorzystania częstotliwości 1*3.
W przypadku nośnych częstotliwości przydzielonych do jednej komórki TRX1 wykorzystuje 1 z 14 nośnych BCCH, TRX2, TRX3, TRX4, TRX5, TRX6 i TRX7 pracują na 1 z 12 nośnych przydzielonych do tej komórki odpowiednio w trybie 1*3 w określonym czasie . Wszystkie TRX (2~7) mają te same MA i HSN, ale różne MAIO, aby mieć pewność, że różne płyty nośne w tej samej komórce nie będą działać na tej samej nośnej częstotliwości.